Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZX84B3V6-G3-18
Herstellerteilenummer | BZX84B3V6-G3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZX84B3V6-G3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX84B3V6-G3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 300mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 90 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX84B3V6-G3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZX84B3V6-G3-18-FT |
BZX84B10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel