Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZY55B3V0 RYG
Herstellerteilenummer | BZY55B3V0 RYG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZY55B3V0 RYG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZY55B3V0 RYG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 85 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZY55B3V0 RYG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZY55B3V0 RYG-FT |
1N4561RB
Microsemi Corporation
1N4562B
Microsemi Corporation
1N4562RB
Microsemi Corporation
JAN1N4567A-1
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JAN1N4584A-1
Microsemi Corporation
JAN1N7048-1
Microsemi Corporation
JAN1N7048UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N7049-1
Microsemi Corporation
JAN1N7049UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N7050-1
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
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A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
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LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel