Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZY55B3V6 RYG
Herstellerteilenummer | BZY55B3V6 RYG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZY55B3V6 RYG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZY55B3V6 RYG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 85 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZY55B3V6 RYG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZY55B3V6 RYG-FT |
1N4562RB
Microsemi Corporation
JAN1N4567A-1
Microsemi Corporation
JAN1N4584A-1
Microsemi Corporation
JAN1N7048-1
Microsemi Corporation
JAN1N7048UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N7049-1
Microsemi Corporation
JAN1N7049UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N7050-1
Microsemi Corporation
JAN1N7050UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N7051-1
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
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5SGXEA7H3F35I4N
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LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel