Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / C2D20120D
Herstellerteilenummer | C2D20120D |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-C2D20120D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Zero Recovery™ |
C2D20120D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 22A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2D20120D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | C2D20120D-FT |
MBR40045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60040CTRL
GeneSiC Semiconductor
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel