Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / C4D20120A
Herstellerteilenummer | C4D20120A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-C4D20120A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Z-Rec® |
C4D20120A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 54.5A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D20120A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | C4D20120A-FT |
UF1007-T
Diodes Incorporated
1N4001GL-T
Diodes Incorporated
1N4001L-T
Diodes Incorporated
1N4002GL-T
Diodes Incorporated
1N4002L-T
Diodes Incorporated
1N4003GL-T
Diodes Incorporated
1N4003L-T
Diodes Incorporated
1N4004GL-T
Diodes Incorporated
1N4004L-T
Diodes Incorporated
1N4005GL-T
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel