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Herstellerteilenummer | C4D20120D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-C4D20120D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Z-Rec® |
C4D20120D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D20120D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | C4D20120D-FT |
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTRL
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MBR40030CTL
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GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel