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Herstellerteilenummer | CAL45TB2R2K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CAL45TB2R2K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CA, L Type |
CAL45TB2R2K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 3.9A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45TB2R2K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CAL45TB2R2K-FT |
B82469G1152M
EPCOS (TDK)
B82469G1153M
EPCOS (TDK)
B82469G1222M
EPCOS (TDK)
B82469G1223M
EPCOS (TDK)
B82469G1332M
EPCOS (TDK)
B82469G1391M
EPCOS (TDK)
B82469G1472M
EPCOS (TDK)
B82469G1682M
EPCOS (TDK)
B82469G1911M
EPCOS (TDK)
B82470A1332M
EPCOS (TDK)
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation