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Herstellerteilenummer | CAL45TB2R7K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CAL45TB2R7K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CA, L Type |
CAL45TB2R7K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 2.5A |
Strom - Sättigung | 3.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 58 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45TB2R7K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CAL45TB2R7K-FT |
B82469G1153M
EPCOS (TDK)
B82469G1222M
EPCOS (TDK)
B82469G1223M
EPCOS (TDK)
B82469G1332M
EPCOS (TDK)
B82469G1391M
EPCOS (TDK)
B82469G1472M
EPCOS (TDK)
B82469G1682M
EPCOS (TDK)
B82469G1911M
EPCOS (TDK)
B82470A1332M
EPCOS (TDK)
B82470A1682M
EPCOS (TDK)
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel