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Herstellerteilenummer | CB2012T2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2012T2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2012T2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 770mA |
Strom - Sättigung | 410mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 299 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 80MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2012T2R2M-FT |
LBC2016T1R0M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0MV
Taiyo Yuden
LBC2016T1R5M
Taiyo Yuden
LBC2016T220K
Taiyo Yuden
LBC2016T220M
Taiyo Yuden
LBC2016T2R2M
Taiyo Yuden
LBC2016T2R2MV
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LBC2016T330K
Taiyo Yuden
LBC2016T330M
Taiyo Yuden
LBC2016T3R3M
Taiyo Yuden
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel