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Herstellerteilenummer | CB2016T1R0M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2016T1R0M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2016T1R0M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.1A |
Strom - Sättigung | 600mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 100MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2016T1R0M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2016T1R0M-FT |
LB2518T471MV
Taiyo Yuden
LB2518T4R7M
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LB2518T4R7MRV
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LB2518T4R7MV
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LB2518T680K
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LB2518T681K
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LB2518T681KV
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel