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Herstellerteilenummer | CB2518T2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2518T2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2518T2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.3A |
Strom - Sättigung | 510mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 68MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1007 (2518 Metric) |
Supplier Device Package | 1007 (2518 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2518T2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2518T2R2M-FT |
LB3218T101K
Taiyo Yuden
LB3218T221K
Taiyo Yuden
LB3218T470K
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LB3218T100K
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LB3218T151K
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LB3218T100KV
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LB3218T151KV
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LB3218T331K
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LB3218T150K
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LB3218T1R0MV
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel