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Herstellerteilenummer | CBL2012T2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CBL2012T2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB, L Type |
CBL2012T2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 590mA |
Strom - Sättigung | 440mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 507 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 80MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CBL2012T2R2M-FT |
LBC2016T470K
Taiyo Yuden
LBC2016T470M
Taiyo Yuden
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
Taiyo Yuden
LBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBM2016T100J
Taiyo Yuden
LBM2016T100JV
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LBM2016T101JV
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LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel