Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / CBR10-J100
Herstellerteilenummer | CBR10-J100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CBR10-J100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CBR10-J100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-Square, CM |
Supplier Device Package | CM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR10-J100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CBR10-J100-FT |
GBJ2504-03-G
Comchip Technology
GBJ2504-04-G
Comchip Technology
GBJ2504-05-G
Comchip Technology
GBJ2504-06-G
Comchip Technology
GBJ2504-G
Comchip Technology
GBJ2506-03-G
Comchip Technology
GBJ2506-04-G
Comchip Technology
GBJ2506-05-G
Comchip Technology
GBJ2506-06-G
Comchip Technology
GBJ2506-G
Comchip Technology
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel