Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / CDBD650-G
Herstellerteilenummer | CDBD650-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CDBD650-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CDBD650-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD650-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CDBD650-G-FT |
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor
DSS2-60AT2
IXYS
DSS2-60AT2AP
IXYS
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
FFSD10120A
ON Semiconductor
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
CSD01060E-TR
Cree/Wolfspeed
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
FFD10UP20S
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel