Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / CDBGBSC101200-G
Herstellerteilenummer | CDBGBSC101200-G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-CDBGBSC101200-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CDBGBSC101200-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 18A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC101200-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CDBGBSC101200-G-FT |
PD411811
Powerex Inc.
PD412011
Powerex Inc.
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel