Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / CDBHD2100-G
Herstellerteilenummer | CDBHD2100-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CDBHD2100-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CDBHD2100-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Schottky |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 100V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-269AA, 4-BESOP |
Supplier Device Package | Mini-Dip (TO-269AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBHD2100-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CDBHD2100-G-FT |
GBJ804
Diodes Incorporated
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
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LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel