Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / CDBJSC5650-G
Herstellerteilenummer | CDBJSC5650-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CDBJSC5650-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CDBJSC5650-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 650V |
Kapazität @ Vr, F | 430pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 Full Pack |
Supplier Device Package | TO-220F |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJSC5650-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CDBJSC5650-G-FT |
CGRMT4006-HF
Comchip Technology
CSFMT101-HF
Comchip Technology
CSFMT102-HF
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CSFMT103-HF
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CSFMT105-HF
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CSFMT107-HF
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CURMT101-HF
Comchip Technology
CURMT102-HF
Comchip Technology
CURMT105-HF
Comchip Technology
CURMT106-HF
Comchip Technology
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel