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Herstellerteilenummer | CDD10810 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CDD10810 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CDD10810 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 320A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 15mA @ 800V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | POW-R-BLOK™ Module |
Supplier Device Package | POW-R-BLOK™ Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDD10810 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CDD10810-FT |
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
400DMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
403DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
5962-1621001QXC
Microsemi Corporation
5962-1621001VXC
Microsemi Corporation
70CRU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
8768650000
Weidmüller
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel