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Herstellerteilenummer | CE201210-1N8D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CE201210-1N8D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CE201210 |
CE201210-1N8D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 1.8nH |
Toleranz | ±0.3nH |
Aktuelle Bewertung | 300mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 100MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.03mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-1N8D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CE201210-1N8D-FT |
CI100505-3N9D
Bourns Inc.
CI100505-4N7D
Bourns Inc.
CI100505-6N8J
Bourns Inc.
CI100505-56NJ
Bourns Inc.
CI100505-10NJ
Bourns Inc.
CI100505-18NJ
Bourns Inc.
CI100505-1N0D
Bourns Inc.
CI100505-1N2D
Bourns Inc.
CI100505-1N5D
Bourns Inc.
CI100505-1N8D
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel