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Herstellerteilenummer | CE201210-2N7D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CE201210-2N7D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CE201210 |
CE201210-2N7D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 2.7nH |
Toleranz | ±0.3nH |
Aktuelle Bewertung | 300mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 100MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.03mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-2N7D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CE201210-2N7D-FT |
CI100505-6N8J
Bourns Inc.
CI100505-56NJ
Bourns Inc.
CI100505-10NJ
Bourns Inc.
CI100505-18NJ
Bourns Inc.
CI100505-1N0D
Bourns Inc.
CI100505-1N2D
Bourns Inc.
CI100505-1N5D
Bourns Inc.
CI100505-1N8D
Bourns Inc.
CI100505-27NJ
Bourns Inc.
CI100505-2N2D
Bourns Inc.
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation