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Herstellerteilenummer | CE201210-3N9K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CE201210-3N9K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CE201210 |
CE201210-3N9K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 3.9nH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 300mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 100MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.03mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-3N9K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CE201210-3N9K-FT |
CI100505-47NJ
Bourns Inc.
CI100505-5N6D
Bourns Inc.
CI100505-68NJ
Bourns Inc.
CI100505-82NJ
Bourns Inc.
CI100505-8N2J
Bourns Inc.
CI100505-7N5J
Bourns Inc.
CF453215-100K
Bourns Inc.
CF453215-120K
Bourns Inc.
CF453215-150K
Bourns Inc.
CF453215-180K
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel