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Herstellerteilenummer | CIG21L2R2MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIG21L2R2MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIG21L |
CIG21L2R2MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 950mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 160 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21L2R2MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIG21L2R2MNE-FT |
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EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel