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Herstellerteilenummer | CIG22E2R2MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIG22E2R2MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIG22E |
CIG22E2R2MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.3A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22E2R2MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIG22E2R2MNE-FT |
CIH05Q22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel