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Herstellerteilenummer | CIG22E4R7MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIG22E4R7MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIG22E |
CIG22E4R7MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 265 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22E4R7MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIG22E4R7MNE-FT |
CIH05Q2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel