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Herstellerteilenummer | CIG22H3R3MAE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIG22H3R3MAE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIG22H_MAE |
CIG22H3R3MAE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 138 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H3R3MAE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIG22H3R3MAE-FT |
CIH05Q3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q4N3SNC
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CIH05Q4N7SNC
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CIH05Q5N1SNC
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CIH05Q5N6SNC
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CIH05Q68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q6N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel