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Herstellerteilenummer | CIGT201206EH1R0MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201206EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201206EH1R0MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.8A |
Strom - Sättigung | 2.4A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.024" (0.60mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201206EH1R0MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201206EH1R0MNE-FT |
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
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CIGW252010GM2R2MSE
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CIGW252010GM4R7MNE
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CIGW252012GL4R7MNE
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CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0SLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel