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Herstellerteilenummer | CIGT201208EH1R0MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201208EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201208EH1R0MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.1A |
Strom - Sättigung | 3.2A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 55 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.032" (0.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201208EH1R0MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201208EH1R0MNE-FT |
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
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CIGW252010GM2R2MSE
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CIGW252012GM1R0MNE
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CIGW252012GM2R2MNE
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CIGW252012GM6R8MNE
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EPF10K20TC144-4
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LFEC3E-4TN144C
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M2GL010-1VF400
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AGL030V5-VQ100I
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5SGXEA5N1F40I2N
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
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LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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