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Herstellerteilenummer | CIGT201208EM1R0MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201208EM1R0MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201208EM1R0MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.9A |
Strom - Sättigung | 2.5A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.032" (0.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201208EM1R0MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201208EM1R0MNE-FT |
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
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CIGW252012GL4R7MNE
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CIGW252012GM1R0MNE
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CIGW252012GM1R0SLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel