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Herstellerteilenummer | CIGT201610EH1R0MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201610EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201610EH1R0MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.1A |
Strom - Sättigung | 4.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 43 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EH1R0MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201610EH1R0MNE-FT |
CIH05T7N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T82NJNC
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CIH05T9N1JNC
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CIH05T4N3SNC
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CIGW404012GMR47MLE
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CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32W1R0MNE
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CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
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EPF10K200SRC240-3
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