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Herstellerteilenummer | CIGT201610EH2R2MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201610EH2R2MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201610EH2R2MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.5A |
Strom - Sättigung | 2.9A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EH2R2MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201610EH2R2MNE-FT |
CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T9N1JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GMR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW404012GM1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG32W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel