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Herstellerteilenummer | CIGT201610UH2R2SNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT201610UH2R2SNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT201610UH2R2SNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±0.3nH |
Aktuelle Bewertung | - |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UH2R2SNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT201610UH2R2SNE-FT |
CIGW252010GL2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MAE
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CIG22B1R0MNE
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CIG22B3R3MAE
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CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation