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Herstellerteilenummer | CIGT252008LM2R2MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGT252008LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGT |
CIGT252008LM2R2MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Thin Film |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2A |
Strom - Sättigung | 2.1A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.032" (0.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LM2R2MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGT252008LM2R2MNE-FT |
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel