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Herstellerteilenummer | CIGW201610GHR33MLE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGW201610GHR33MLE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGW |
CIGW201610GHR33MLE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 330nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GHR33MLE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGW201610GHR33MLE-FT |
CIG22L100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel