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Herstellerteilenummer | CIGW252010EH4R7MNE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGW252010EH4R7MNE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGW |
CIGW252010EH4R7MNE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.4A |
Strom - Sättigung | 2.2A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010EH4R7MNE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGW252010EH4R7MNE-FT |
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel