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Herstellerteilenummer | CIL10J1R2KNC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIL10J1R2KNC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIL10 |
CIL10J1R2KNC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1.2µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 25mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 800 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 10MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 60MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 10MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0603 (1608 Metric) |
Supplier Device Package | 0603 (1608 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.037" (0.95mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIL10J1R2KNC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIL10J1R2KNC-FT |
CIGW201610GHR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH4R7MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM1R5SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel