Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / CNY17-3M-V
Herstellerteilenummer | CNY17-3M-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CNY17-3M-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CNY17-3M-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 100% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 200% @ 10mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 10µs, 9µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6µs, 8µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.65V (Max) |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-3M-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CNY17-3M-V-FT |
MOC8106SR2VM
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CNY171SM
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A3P125-TQ144
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XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF484C8G
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EP3C55U484C7N
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EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2M50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C5N
Intel