Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / CRNB20-1200
Herstellerteilenummer | CRNB20-1200 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CRNB20-1200 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CRNB20-1200 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 12.7A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CRNB20-1200 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CRNB20-1200-FT |
CDLL5712/TR
Microsemi Corporation
CDLL5819/TR
Microsemi Corporation
CDLL6761/TR
Microsemi Corporation
CDSSC4148N-G
Comchip Technology
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
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AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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