Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / CS19-08HO1C
Herstellerteilenummer | CS19-08HO1C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CS19-08HO1C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CS19-08HO1C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 25mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.65V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 13A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 35A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 50mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 1mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 100A, 105A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | ISOPLUS220™ |
Supplier Device Package | ISOPLUS220™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS19-08HO1C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CS19-08HO1C-FT |
2N2325
Microsemi Corporation
2N2325A
Microsemi Corporation
2N2325AS
Microsemi Corporation
2N2325AU4
Microsemi Corporation
2N2325S
Microsemi Corporation
2N2325U4
Microsemi Corporation
2N2326
Microsemi Corporation
2N2326A
Microsemi Corporation
2N2326AS
Microsemi Corporation
2N2326AU4
Microsemi Corporation
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel