Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / CS19-12HO1C
Herstellerteilenummer | CS19-12HO1C |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-CS19-12HO1C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CS19-12HO1C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 25mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.65V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 13A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 35A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 50mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 1mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 100A, 105A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | ISOPLUS220™ |
Supplier Device Package | ISOPLUS220™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS19-12HO1C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CS19-12HO1C-FT |
2N2325AS
Microsemi Corporation
2N2325AU4
Microsemi Corporation
2N2325S
Microsemi Corporation
2N2325U4
Microsemi Corporation
2N2326
Microsemi Corporation
2N2326A
Microsemi Corporation
2N2326AS
Microsemi Corporation
2N2326AU4
Microsemi Corporation
2N2326S
Microsemi Corporation
2N2326U4
Microsemi Corporation
A40MX02-VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C8N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
5SGXMBBR2H43C3N
Intel
XC7K325T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation