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Texas Instruments CSD17313Q2Q1T

MFG-Teilenummer
CSD17313Q2Q1T
verfügbare Anzahl
10730 Stücke
Referenzpreis
USD 0.19456
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
NexFET™ MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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CSD17313Q2Q1T Spezifikationen

Herstellerteilenummer CSD17313Q2Q1T
Zukünftige Teilenummer FT-CSD17313Q2Q1T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie NexFET™
CSD17313Q2Q1T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-WSON (2x2)
Paket / fall 6-WDFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17313Q2Q1T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer CSD17313Q2Q1T-FT

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