Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / CSD19502Q5BT
Herstellerteilenummer | CSD19502Q5BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CSD19502Q5BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NexFET™ |
CSD19502Q5BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4870pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19502Q5BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD19502Q5BT-FT |
CSD25303W1015
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