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Texas Instruments CSD19532KTT
- MFG-Teilenummer
- CSD19532KTT
- verfügbare Anzahl
- 51130 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.121408
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Texas Instruments
- Kurze Beschreibung
- NexFET™ MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- CSD19532KTT.pdf
CSD19532KTT Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | CSD19532KTT |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-CSD19532KTT |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | NexFET™ |
| CSD19532KTT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5060pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Paket / fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CSD19532KTT Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | CSD19532KTT-FT |
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