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Texas Instruments CSD19536KTTT

MFG-Teilenummer
CSD19536KTTT
verfügbare Anzahl
21900 Stücke
Referenzpreis
USD 3.50512
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
NexFET™ MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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CSD19536KTTT Spezifikationen

Herstellerteilenummer CSD19536KTTT
Zukünftige Teilenummer FT-CSD19536KTTT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie NexFET™
CSD19536KTTT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 200A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Paket / fall TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19536KTTT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer CSD19536KTTT-FT

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