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Texas Instruments CSD19538Q2T

MFG-Teilenummer
CSD19538Q2T
verfügbare Anzahl
36190 Stücke
Referenzpreis
USD 0.372256
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
NexFET™ MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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CSD19538Q2T Spezifikationen

Herstellerteilenummer CSD19538Q2T
Zukünftige Teilenummer FT-CSD19538Q2T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie NexFET™
CSD19538Q2T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 13.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-WSON (2x2)
Paket / fall 6-WDFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19538Q2T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer CSD19538Q2T-FT

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