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Texas Instruments CSD19538Q2T

Name: CSD19538Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD19538Q2T
Price: 0.372256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (336 reviews)

MFG-Teilenummer: CSD19538Q2T

verfügbare Anzahl: 36190 Stücke

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Hersteller: Texas Instruments

Kurze Beschreibung: NexFET™ MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: CSD19538Q2T.pdf

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CSD19538Q2T Spezifikationen

Herstellerteilenummer	CSD19538Q2T
Zukünftige Teilenummer	FT-CSD19538Q2T
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	NexFET™
CSD19538Q2T Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	454pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-WSON (2x2)
Paket / fall	6-WDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19538Q2T Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	CSD19538Q2T-FT

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