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Herstellerteilenummer | CSD19538Q3AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CSD19538Q3AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NexFET™ |
CSD19538Q3AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-VSONP (3x3.15) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19538Q3AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD19538Q3AT-FT |
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Microsemi Corporation
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XCS40-4BG256C
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Xilinx Inc.
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LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
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