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Texas Instruments CSD25211W1015
- MFG-Teilenummer
- CSD25211W1015
- verfügbare Anzahl
- 78730 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.1488
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Texas Instruments
- Kurze Beschreibung
- NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- CSD25211W1015.pdf
CSD25211W1015 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | CSD25211W1015 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-CSD25211W1015 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | NexFET™ |
| CSD25211W1015 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Paket / fall | 6-UFBGA, DSBGA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CSD25211W1015 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | CSD25211W1015-FT |
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