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Texas Instruments CSD25213W10

MFG-Teilenummer
CSD25213W10
verfügbare Anzahl
81920 Stücke
Referenzpreis
USD 0.10164
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Texas Instruments
Kurze Beschreibung
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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CSD25213W10 Spezifikationen

Herstellerteilenummer CSD25213W10
Zukünftige Teilenummer FT-CSD25213W10
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie NexFET™
CSD25213W10 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 4-DSBGA (1x1)
Paket / fall 4-UFBGA, DSBGA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25213W10 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer CSD25213W10-FT

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