Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / CSD25310Q2T
Herstellerteilenummer | CSD25310Q2T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CSD25310Q2T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NexFET™ |
CSD25310Q2T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.9W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25310Q2T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CSD25310Q2T-FT |
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