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Herstellerteilenummer | CV201210-100K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CV201210-100K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CV201210 |
CV201210-100K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 15mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.15 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 24MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-100K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CV201210-100K-FT |
CW160808-47NG
Bourns Inc.
CW160808-47NJ
Bourns Inc.
CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
Bourns Inc.
CW160808-56NG
Bourns Inc.
CW160808-56NJ
Bourns Inc.
CW160808-68NG
Bourns Inc.
CW160808-68NJ
Bourns Inc.
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
Bourns Inc.
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel