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Herstellerteilenummer | CV201210-1R0K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CV201210-1R0K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CV201210 |
CV201210-1R0K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 50mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 10MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 75MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 10MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-1R0K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CV201210-1R0K-FT |
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
CW160808-R15J
Bourns Inc.
CW160808-R18G
Bourns Inc.
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
CW160808-R27G
Bourns Inc.
CW160808-R27J
Bourns Inc.
CW160808-R39J
Bourns Inc.
CW105550A-82NJ
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation